TPL_HOCHSCHULKONTOR_LOGO
+ 371 67286033
hochschulkontor@lu.lv
Kaļķu iela 1-404,Rīga,LV-1658


Projekta nosaukums

Sakaru defektu identifikācija Si-SiO2 sistēmā un tās modifikācija ar lāzera starojumu.

Projekta norises laiks

01.07.2018. – 30.11.12.2018.
Projektā iesaistītās valstis un institūcijas
  • Tallinas Universitāte (Igaunija)
  • Rīgas Tehniskā universitāte (Latvija)
  • Jīlihas Pētniecības centrs (Vācija)
  • Pētera Grīnberga institūts (Vācija)
Projekta mērķis(i) Savulaik Igaunijā vairāk nekā 20 gadus ir veikti pētījumi tā dēvēto integrālo elektronisko shēmu jomā. Lai pētītu metāla oksīdu pusvadītāju (MOS) īpašības, tika izmantotas, piemēram, tādas metodes kā kapacitātes spektroskopija, elektronmikroskopija, spektroskopija un radiospektroskopiski paņēmieni (EPR, KMR). Tagad Igaunijā pusvadītāju materiālus vairs neizstrādā. Iegūtos rezultātus izmantoja «Alfas» pusvadītāju rūpnīcā Latvijā. Iepriekšējos mūsu projektos izdevās noskaidrot, ka Si-SiO2 struktūrās, uz kurām iedarbojas ar 1125 °C oksidācijas temperatūru, iekšējā mehāniskā slodze un lādiņi saskares vietās ir zemāki nekā 1130 °C temperatūrā. Saskares vietā novērojamās lādiņa vērtības atkarība no oksidācijas temperatūras ir saistīta ar stiepes deformācijas spēkiem, kuri ietekmē Si-Si saiti. Ir izteikts pieņēmums, ka negatīvi lādēti centri, kuru rašanos izraisa tukšumi, ietekmē lādiņa vērtību un zīmi. Projekta mērķis ir izmantot iegūtos rezultātus «Alfas» pusvadītāju ražotnē.
Projekta tiešā un netiešā mērķa grupa un tās skaitliskais apjoms

Tiešā mērķgrupa:


Projekta tiešā mērķgrupa izplatīs iegūtos rezultātus, stāstot par tiem konferencēs un zinātniskos semināros, kas notiks Tallinas Universitātē, Rīgas Tehniskajā universitātē un Jīlihas pētniecības centrā. Tā arī  iesniegs zināntiskus rakstus visai redzamiem žurnāliem, kuru publikācijas tiek ietvertas SpringerLink, SCOPUS, DBLP un Thomson Reuters (ISI WEB of Knowledge) atsauču datubāzēs. Kopumā esam iecerējuši ne mazāk kā 2 publikācijas, kā arī dalību 1 konferencē un 2 semināros. Paši plānojam sarīkot semināru par šī projekta tematiku. Šajā tiešajā mērķgrupā darbosies 5 personas.

Netiešā mērķgrupa:

Projekta netiešā mērķgrupa būs tie, kas saņems informāciju par iegūtajiem zinātnisko pētījumu rezultātiem, piedalīsies semināros, kā arī varēs atrast publicētos zinātniskos darbus minētajās datubāzēs. Tādējādi projekta rezultāti nonāks netiešās mērķgrupas rīcībā. Rezultātus varēs izmantot izglītībā, iepazīstinot ar jaunākajiem zinātnes sasniegumiem, kā arī jaunu ražošanas novirzienu izstrādē. Netiešajā mērķgrupā būs 20 personas.

Projekta galvenās aktivitātes un aktivitātes(šu) norises vieta(s)

Tallinas Universitāte:

  • Materiālu īpašību modificēšana ar ultraskaņu;
  • Materiālu īpašību raksturojuma iegūšana ar dažādām metodēm (EPR, CV);
  • Silīcija termiskā oksidēšana ar dažādiem temperatūras un laika parametriem.

 

Rīgas Tehniskā universitāte:

  • Si un SiO2  sistēmiska pētīšana pēc dažādām metodēm (EPR, CV, IS absorbcijas spektroskopija).

 

Jīlihas pētniecības centrs:

  • Nanobiotehnoloģijas eksperimenti. Bionsensoru sagatavošana.
Projekta ietvaros plānotie publiskie pasākumi un norises laiks

19.09.2018. seminārs “Lāzertehnoloģijas un biosensori” Jīlihas Pētniecības centrā.

19.10.2018. seminārs “Lāzertehnoloģijas un biosensori” Rīgas Tehniskajā universitātē.