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Projekttitel:

Identifizierung von Punktdefekten im Si-SiO2-System und deren Modifikation durch Laserstrahlung

Projektlaufzeit 

01.07. -  15.12.2018

Im Projekt einbezogene Länder und Institutionen:

1. Estland, Universität von Tallinn

2. Lettland, Technische Universität von Riga

3. Deutschland, Forschungszentrum

Jülich, Peter Grünberg Institut

Ziel(e) des Projekts:

Über 20 Jahre lang wurde in Estland die sogenannte integrale Stromkreis-Technologie unter anderem mit Methoden wie MOS (Metalloxidhalbleiter) - Kapazitätsspektroskopie, Elektronenmikroskopie, Spektroskopie, durch die radiospektroskopischen Verfahren (EPR, NMR) erforscht. In Estland wurde die Halbleiterentwicklung abgeschlossen. Die erhaltenen Ergebnisse wurden in Semiconductor Plant ALFA (ALFA-Halbleiteranlagen) (Lettland) verwendet. In früheren Projekten wurde festgestellt, dass in arbeitenden Si-SiO2-Strukturen bei einer Oxidationstemperatur von 1125° C innere mechanische Spannungen und Ladungen an der Grenzfläche niedriger sind als bei 1130° C. Die Abhängigkeit des Ladungswertes an der Grenzfläche von der Oxidationstemperatur ist mit den Zugspannungen, die die Länge der Si-Si-Bindung beeinflussen, verbunden. Es wurde angenommen, dass negativ geladene Zentren, die durch Leerstellen gebildet werden, den Ladungswert und das Vorzeichen beeinflussen. Der Zweck des Projekts ist die Verwendung der erhaltenen Ergebnisse in ALFA-Halbleiteranlagen.

Zielgruppe des Projektes:


Die direkte Zielgruppe des Projekts wird die erzielten Ergebnisse in Konferenzen und in wissenschaftlichen Seminaren der Technischen Universität Riga und des Forschungszentrums Jülich (Peter Grünberg-Institut-8) präsentieren. Zudem sollen wissenschaftliche Aufsätze in Zeitschriften  mit ausreichend hohem Impact-Faktor veröffentlicht werden, die in den Datenbanken Springer, SCOPUS, DBLP und Thomson Reuters (ISI WEB of Knowledge) aufgelistet werden sollen. Insgesamt planen wir mindestens zwei Publikationen sowie die Teilnahme an einer Konferenz und zwei Seminaren. Es ist geplant, ein Seminar über die Projektthemen zu organisieren. Die Zahl der an der direkten Zielgruppe beteiligten Personen beträgt 5.

Die indirekte Zielgruppe des Projekts wird über die gewonnenen wissenschaftlichen Ergebnisse, die Teilnahme an Seminaren sowie die veröffentlichten wissenschaftlichen Arbeiten in den oben genannten Datenbanken informiert. Auf diese Weise wird der Zugang zu den Projektergebnissen für die indirekte Zielgruppe sichergestellt. Diese Ergebnisse werden im Bildungsprozess als Ergänzung zu den jüngsten Fortschritten in der Wissenschaft sowie in der Entwicklung neuer Richtungen der Herstellung verwendet werden. Die Zahl der an der indirekten Zielgruppe beteiligten Personen beträgt 20.

 

Hauptaktivitäten des Projekts und die Veranstaltungsorte an denen die Aktivitäten im Rahmen des Projekts durchgeführt werden

Riga Technische Universität, 3/7 Paula Valdena Str.LV-1048, Riga, Lettland.
Si-SiO2-Systemuntersuchung nach verschiedenen Methoden (EPR, CV, IR-Absorptionsspektroskopie). Proben bestellen in der Halbleiteranlage ALFA, PD-Modifikation durch Laserbestrahlung.
Forschungszentrum Julich. Und Centre De Physique Molequlaire Optique Et Hertzienne. CNRS-Universite Bordeaux. Das Studium der erhaltenen Ergebnisse in der Nanobiotechnologie Entwicklung.

Öffentliche Veranstaltungen im Rahmen des Projekts

Wir planen wissenschaftliche Seminare an der Technischen Universität Riga und dem Forschungszentrum Jülich - Peter Grünberg Institut. Das Datum der Veranstaltungen könnte der 19. Oktober 2018 (Jülich) und der 20. Oktober 2018 (Riga) sein.

Der Name der Seminare könnte "Lasertechnik und Biosensoren" sein.